دروازه اخبار دیجیتال و فن آوری

سامسونگ ۸۵۰ پتنت

سامسونگ ۸۵۰ پتنت مربوط به ساخت حافظه‌های HBM2 و فناوری TSV را ثبت کرد

eonline724.ir

سامسونگ ۸۵۰ پتنت

کمپانی کره‌ای سامسونگ، تولید حافظه‌‌های با پهنای باند بالا را افزایش خواهد داد.
این حافظه‌ها در موارد مختلفی از جمله در زمینه‌ی ساخت پردازنده‌ی گرافیکی مورد استفاده قرار می‌گیرند.
سامسونگ اخیرا تولید پکیج‌های هشت گیگابایتی حافظه‌های با پهنای باند بالای نسل دوم را که به‌اختصار HBM2 نامیده می‌شوند، افزایش داده است.
پاسخ‌گویی به نیازهای رو به افزایش بازار هدف سامسونگ از این کارمی باشد.
شرکت سامسونگ می‌خواهد به کمک روش جدید تولید بسته‌های هشت گیگابایتی حافظه‌های HBM2، عرضه‌ی این نوع حافظه را در نیمه‌ی اول سال ۲۰۱۸ تا پنجاه درصد افزایش دهد.

در ماه ژوئن سال۲۰۱۶این نوع از حافظه برای اولین بار به بازار عرضه شد.
در آن زمان هر پکیج چهار گیگابایتی از ترکیب چهار قطعه‌ی یک گیگابایتی ساخته می‌شد و پهنای باند حافظه نیز ۲۵۶ گیگابایت بر ثانیه، به ازای هر قطعه بود.

سامسونگ ۸۵۰ پتنت

دستیابی به سرعت‌های بسیار بالا در حافظه‌های با پهنای باند بالای نسل دوم، به لطف ترکیب اینترفیس ۴۰۹۶ بیتی و سرعت کلاک بالا امکان‌پذیر شده؛ این در حالی است که پهنای باند حافظه‌های GDDR5 به ۳۲ گیگابایت بر ثانیه محدود می‌شود.

شرکت NVidia از نسل قبلی این نوع حافظه، در قالب پکیج‌های ۴ گیگابایتی :
جهت ساخت کارت گرافیک ۶۰۰۰ دلاری Quadro GP100 استفاده کرده است .
موفق شده بود به پهنای باند ۷۲۰ گیگابایت بر ثانیه دست یابد.
همچنین با به‌کارگیری این حافظه‌ها در پردازنده‌های گرافیکی Tesla V100:
انویدیا توانست به پهنای باند ۹۰۰ گیگابایت بر ثانیه دست یابد.
لازم به ذکر است که در Tesla V100 نیز از پکیج‌های حافظه‌ی ۴ گیگابایتی استفاده شده‌ است.

افزایش تعداد قطعات در پکیج‌های حافظه کار آسانی نیست؛
اما سامسونگ در بیانیه‌ی مطبوعاتی خود اعلام کرده که در ساخت حافظه‌های هشت گیگابایتی HBM2 توانسته است سطح کارایی، ضریب اطمینان و بهینه بودن مصرف انرژی را افزایش دهد. همچنین سامسونگ اعلام کرده که سامسونگ ۸۵۰ پتنت مربوط به ساخت حافظه‌های HBM2 و فناوری TSV را ثبت کرده یا در حال ثبت آن‌ها است.

فناوری TSV

فناوری TSV، یک فناوری نوین در زمینه‌ی ساخت حافظه‌های DRAM و NAND است.
در این فناوری، به‌جای ارتباطات سیمی بین قطعات حافظه، ارتباط از طریق سیلیکون انجام خواهد شد.
هر قطعه حافظه‌ی HBM2 دارای پنج هزار اتصال TSV است؛
در نتیجه، مجموع این اتصالات در حافظه‌های ۸ گیگابایتی سامسونگ به ۴۰ هزار می‌رسد.
در عین حال، قطعات حافظه‌ی ساخته‌شده توسط سامسونگ به‌گونه‌ای به یکدیگر متصل شده‌اند که مصرف انرژی و گرمای تولیدی به حداقل برسد. کاهش مصرف انرژی و گرمای تولیدی در حافظه، موجب افزایش ضریب اطمینان آن می‌شود.

حافظه‌های هشت گیگابایتی سامسونگ در حال حاضر معلوم نیست در چه محصولی مورد استفاده قرار خواهند گرفت؛
ولی حتما سازندگان پردازنده‌های گرافیکی می‌توانند با استفاده از این حافظه‌ها، محصولات قدرتمند‌تری تولید کنند.
هرچند امکان استفاده از حافظه‌های HBM2 در کارت‌های گرافیک‌ مورد استفاده توسط کاربران عادی نیز وجود دارد (برای مثال کارت گرافیک AMD R9 Fury X)؛
اما این حافظه‌ها معمولا در محصولات حرفه‌ای ویژه‌ی طراحی رایانه‌ای، شبیه‌سازی، یادگیری ماشین و رایانش موازی مورد استفاده قرار می‌گیرند.